کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1812270 | 1025612 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical optimization of In-mole fractions and layer thicknesses in AlxGa1âxN/AlN/GaN high electron mobility transistors with InGaN back barriers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of the In-mole fraction (x) of an InxGa1âxN back barrier layer and the thicknesses of different layers in pseudomorphic AlyGa1âyN/AlN/GaN/InxGa1âxN/GaN heterostructures on band structures and carrier densities were investigated with the help of one-dimensional self-consistent solutions of non-linear Schrödinger-Poisson equations. Strain relaxation limits were also calculated for the investigated AlyGa1âyN barrier layer and InxGa1âxN back barriers. From an experimental point of view, two different optimized structures are suggested, and the possible effects on carrier density and mobility are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 8, 1 April 2011, Pages 1513-1518
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volume 406, Issue 8, 1 April 2011, Pages 1513-1518
نویسندگان
O. Kelekci, S.B. Lisesivdin, S. Ozcelik, E. Ozbay,