کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1816636 | 1525270 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Universal alignment of hydrogen levels in semiconductors and insulators
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
فیزیک و نجوم
فیزیک ماده چگال
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Hydrogen strongly affects the properties of electronic materials. It is always electrically active, and usually counteracts the prevailing conductivity of the semiconductor. In some materials, however, hydrogen acts as a source of doping. We have developed a model that enables us to predict the electrical activity of hydrogen in any material, based on its band alignment on an absolute energy scale. We discuss the underlying physics, as well as consequences for specific materials, including ZnO and InN.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 1–6
Journal: Physica B: Condensed Matter - Volumes 376–377, 1 April 2006, Pages 1–6
نویسندگان
Chris G. Van de Walle,