کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
192082 | 459735 | 2010 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Relationship between the isoelectric point (pHpzc) and the potential of zero charge (Epzc) for passive metals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی شیمی
مهندسی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The potential of zero charge of oxide-covered metals (Epzc) is shown to be linear function of the isoelectric point of the oxide film (pHpzc). The linearity is displayed for 14 different metals having n-type semiconductor oxide films and for three metals having p-type semiconductor oxide films. Using experimental values from the literature, the slope of the linear plot of Epzc vs. pHpzc is observed to be −0.142 V for n-type oxides and −0.115 V for p-type oxides. The theoretical slope is −0.120 V, which is derived in this communication.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Electrochimica Acta - Volume 55, Issue 5, 1 February 2010, Pages 1630–1637
Journal: Electrochimica Acta - Volume 55, Issue 5, 1 February 2010, Pages 1630–1637
نویسندگان
E. McCafferty,