کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
218694 463215 2014 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Numerical simulation of the far-field boundaries onto a microdisc electrode by using the infinite element
ترجمه فارسی عنوان
شبیه سازی عددی مرزهای دور در یک الکترود میکرو دیسک با استفاده از عنصر بی نهایت
کلمات کلیدی
شبیه سازی الکتروشیمیایی، روش عنصر محدود شرایط مرزی دورافتاده، میکرو الکترودهای، میکروسکوپ الکتروشیمیایی اسکن، عنصر بی نهایت
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی شیمی مهندسی شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی


• Approximated function to estimate the sufficient far-field distance for a given accuracy.
• Use of infinite elements at far-field boundary in electrochemical modeling.
• The simulation domain must be far at least 62 times the electrode radius to obtain 1% relative error.

The numerical simulation of the diffusion problem onto a microdisc electrode is made difficult by the presence of a boundary singularity at the electrode edge (edge effect) and the truncated far-field boundary conditions. In general, the far-field distance is several orders larger than the radius of the microelectrode. Simulating in such a large domain is time-consuming so the far-field distance is often truncated. The accuracy of the simulated current depends on how far of the truncated far-field boundary conditions. An approximated function is obtained to estimate the sufficient distance for a given accuracy of the current calculation and vice-versa. We also introduce the use of infinite elements at far-field boundary which is proved as an optimal approach to deal with boundary conditions at semi-infinite distance.

Figure optionsDownload as PowerPoint slide

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electroanalytical Chemistry - Volume 729, 1 September 2014, Pages 1–8
نویسندگان
, ,