کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
278374 | 1430299 | 2011 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Residual stresses in silicon-on-sapphire thin film systems
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی عمران و سازه
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper uses the finite element method to analyse the generation and evolution of residual stress in silicon-on-sapphire thin film systems during cooling. The effects of material properties, thin film structures and processing conditions, on the stress distribution were explored in detail. It was found that under certain conditions, significant stress concentration and discontinuity can take place to initiate crack and/or delamination in the systems. However, these can be minimised by controlling the buffer layer thickness.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Solids and Structures - Volume 48, Issue 9, 1 May 2011, Pages 1290–1300
Journal: International Journal of Solids and Structures - Volume 48, Issue 9, 1 May 2011, Pages 1290–1300
نویسندگان
A. Pramanik, L.C. Zhang,