کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970763 1450301 2017 12 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Robust Si3N4 masks for 100 nm selective area epitaxy of GaAs-based nanostructures
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Robust Si3N4 masks for 100 nm selective area epitaxy of GaAs-based nanostructures
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 180, 5 August 2017, Pages 35-39
نویسندگان
, ,