کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970791 1450300 2017 22 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
3.3 kV 4H-SiC JBS diodes with single-zone JTE termination
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
3.3 kV 4H-SiC JBS diodes with single-zone JTE termination
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 181, 5 September 2017, Pages 10-15
نویسندگان
, , , , ,