کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970804 | 1450303 | 2017 | 19 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the substrate bias effect on the interface trapped charges in junctionless nanowire transistors through low-frequency noise characterization
ترجمه فارسی عنوان
تجزیه و تحلیل اثر تعصب سوبسترا بر روی واسط های تجمع رابط در ترانزیستورهای نانوسیم اتصال بدون اتصال از طریق ویژگی های نویز فرکانس پایین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای نانوسیم تکه تکه نویز کم فرکانس، تراکم تله موثر، تعصب سوبسترا،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 17-20
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 17-20
نویسندگان
Rodrigo Trevisoli Doria, Renan Trevisoli, Michelly de Souza, Sylvain Barraud, Maud Vinet, Olivier Faynot, Marcelo Antonio Pavanello,