کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970809 1450303 2017 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative retention model for filamentary oxide-based resistive RAM
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quantitative retention model for filamentary oxide-based resistive RAM
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 38-41
نویسندگان
, , , , , , ,