کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970813 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Enhanced electrical characteristics of FinFET by rapid-thermal-and-laser annealing with suitable power
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 56-60
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 56-60
نویسندگان
Dun-Bao Ruan, Kuei-Shu Chang-Liao, Yan-Lin Li, Hao-Ting Feng, Yi-Wen Hsu, Chin-Hsiu Huang, Shang-Fu Tsai, Meng-Ying Yang,