کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970818 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Potential changes and chemical bonding features for Si-MOS structure as evaluated from HAXPES analysis
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 80-84
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 80-84
نویسندگان
Akio Ohta, Hideki Murakami, Mitsuhisa Ikeda, Katsunori Makihara, Eiji Ikenaga, Seiichi Miyazaki,