کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970823 | 1450303 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques
ترجمه فارسی عنوان
تعیین تراکم تله در فیلم هافنیا توسط دو روش رسوب لایه اتمی تولید شده است
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
اکسید هفنیوم، رسوب لایه اتمی، عیوب، جای خالی اکسیژن،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 104-107
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 104-107
نویسندگان
D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, M.S. Lebedev,