| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 4970840 | 1450303 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental band alignment of Ta2O5/GaN for MIS-HEMT applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 178-181
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 178-181
نویسندگان
K. Sawangsri, P. Das, S.N. Supardan, I.Z. Mitrovic, S. Hall, R. Mahapatra, A.K. Chakraborty, R. Treharne, J. Gibbon, V.R. Dhanak, K. Durose, P.R. Chalker,