کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970851 | 1450303 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Opportunity of dipole layer formation at non-SiO2 dielectric interfaces in two cases: Multi-cation systems and multi-anion systems
ترجمه فارسی عنوان
فرصت ایجاد لایه دو قطبی در رابطهای دی الکتریک غیر سیو2 در دو مورد: سیستم های چندتایی و چند سیستم آنیونی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لایه دو قطبی، رابط دی الکتریک دروازه، تغییر ولتاژ خط باند،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Observation of composition dependent dipole-induced flatband voltage (Vfb) shift at Al2O3/AlFxOy interface and process dependent dipole-induced Vfb shift at MgO/Al2O3 interface.253
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 225-229
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 225-229
نویسندگان
Jiayang Fei, Koji Kita,