کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970860 1450303 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 266-270
نویسندگان
, , ,