کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970860 | 1450303 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics Improved performance of gate-last FDSOI tunnel field-effect-transistors (TFETs) with modulating Al2O3 composition in atomic layer deposited HfAlOx gate dielectrics](/preview/png/4970860.png)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 266-270
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 266-270
نویسندگان
Donghwan Lim, Jae Ho Lee, Changhwan Choi,