کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4970865 | 1450303 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MOSFET degradation dependence on input signal power in a RF power amplifier
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 289-292
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 289-292
نویسندگان
A. Crespo-Yepes, E. Barajas, J. Martin-Martinez, D. Mateo, X. Aragones, R. Rodriguez, M. Nafria,