کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
4970870 1450303 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Interface state generation of Al2O3/InGaAs MOS structures by electrical stress
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 178, 25 June 2017, Pages 313-317
نویسندگان
, , , , ,