کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
4971031 | 1450311 | 2017 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Impact of gold deposition parameters on the drain-source leakage current in top-contact pentacene-based thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
تاثیر پارامترهای رسوب طلا در جریان نشت منبع تخلیه در ترانزیستورهای نازک پنتاین بالا
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 170, 25 February 2017, Pages 29-33
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 170, 25 February 2017, Pages 29-33
نویسندگان
Wenjie Qin, Holger Goebel,