کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5005832 1461376 2017 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Research of mechanical stresses in irradiated tin-doped silicon crystals
ترجمه فارسی عنوان
بررسی تنشهای مکانیکی در بلورهای سیلیکونی آلیاژی تابش شده
کلمات کلیدی
دوچشمعون، ناهمسانگردی، پلاریمتری مدولاسیون، استرس باقی مانده، سیلیکون، تابش الکترونی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
An optical method of registration of mechanical stresses in undoped and tin-doped silicon samples is offered. Influence of electron irradiation on energy 5 MeV and high-temperature treatment at a 723 K on residual stresses in a silicon lattice was analyzed in the paper. The proposed method is based on а modulation of polarization of laser radiation transmitted through the anisotropic area and the definition of its anisotropy parameters by means of this modulation. The modulation polarimetry technique is an express method with high detection and resolution. The method allows identifying residual stresses in samples in absolute units with a resolution of 1·10−4 MPa.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 71, 15 November 2017, Pages 263-267
نویسندگان
, , ,