کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005992 | 1461378 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Subsurface damage in polishing-annealing processed ZnO substrates
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Positron annihilation spectroscopy and secondary ion mass spectrometry have been applied to study the evolution of polishing-induced defects in hydrothermally grown ZnO samples depending on the annealing temperature. Annealing of the as-grown ZnO wafer at 1200-1500 °C is found to lead to Li accumulation in the sub-surface layer, and significant reduction of Li content in the bulk. Polishing is shown to introduce vacancy complexes involving both VZn and VO. Post-polishing annealing of hydrothermally grown ZnO with removed Li layer at 800°C reduces the concentration of polishing-induced defects below the detection limit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 19-22
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 19-22
نویسندگان
V. Prozheeva, K.M. Johansen, P.T. Neuvonen, A. Zubiaga, L. Vines, A.Yu. Kuznetzov, F. Tuomisto,