کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5005994 | 1461378 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Limitation of Na-H codoping in achieving device-quality p-type ZnO
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Na-H in-situ codoping in single crystalline ZnO films was carried out by plasma assisted molecular beam epitaxy. It is found that Na-H codoping dramatically enhances the formation of substitutional Na (NaZn) in ZnO lattice due to the unchanged Fermi level. The annealing temperature needed to kick out H, however, is very high, which would concurrently result in a notable decrease of Na concentration to its solution limit in ZnO, namely, in the range of 1017Â cmâ3. Our results suggest that Na-H codoping method has a limited effect on enhancing the p-type conductivity of ZnO.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 28-31
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 69, October 2017, Pages 28-31
نویسندگان
Junqiang Li, Yaoping Liu, Zengxia Mei, Lasse Vines, Andrej Kuznetsov, Xiaolong Du,