کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006061 | 1461382 | 2017 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Crystal structure assessment of Ge-Sb-Te nanowires
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Crystal structure assessment of Ge-Sb-Te nanowires Crystal structure assessment of Ge-Sb-Te nanowires](/preview/png/5006061.png)
چکیده انگلیسی
In this work, we present how the TEM techniques, in particular high resolution STEM-HAADF combined with proper simulations, allow identifying and assessing the crystal structure of uncommon/unforeseen polymorphs in phase-change Ge-Sb-Te nanowires.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 65, July 2017, Pages 77-87
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 65, July 2017, Pages 77-87
نویسندگان
Laura Lazzarini, Enzo Rotunno,