کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006105 | 1461386 | 2017 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
High power impulse magnetron sputtered p-type γ-titanium monoxide films: Effects of substrate bias and post-annealing on microstructure characteristics and optoelectrical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Experimental results show that the crystallinic cubic γ-TiO can be directly grown on unheated glass substrate. In regard to the effects of substrate bias and post-annealing, the as-grown γ-TiO transfers into rutile (R-TiO2) at a critical substrate bias voltage of â125 V or post-annealing temperature of 500 °C. For the purpose of p-type channel layer in transistor, the optimum γ-TiO film exhibiting a high hole mobility of 8.2 cm2/V s is grown at the substrate bias voltage of â25 V and followed by the post-annealing at 400 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 61, April 2017, Pages 85-92
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 61, April 2017, Pages 85-92
نویسندگان
Wu-Chang Peng, Ying-Hung Chen, Jing-Yu Chen, Ju-Liang He, Dong-Sing Wuu,