کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006171 | 1461385 | 2017 | 13 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Doping by flash lamp annealing
ترجمه فارسی عنوان
دوپینگ به وسیله ی آنالیز لامپ فلش
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
لامپ فلش آنیلینگ، اسپکترومتر نور پالسی، نیمه هادی ها،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
After a short introduction we will highlight processing issues (setup, comparison of annealing methods, relevant requirements for annealing due to doping, diffusion, activation, recrystallization, defect engineering), as well as doping issues for group IV-semiconductors (shallow junctions, hyperdoping, solar cells, superconductivity) and other semiconductors (manganese doping of GaAs for diluted magnetic semiconductors, doping for transparent conductive oxides). Mostly ion implantation serves as a source of dopants, but also diffusion from deposited layers is of growing importance.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 115-127
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 62, May 2017, Pages 115-127
نویسندگان
S. Prucnal, L. Rebohle, W. Skorupa,