کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5006269 | 1461392 | 2016 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface properties of AlInGaN/GaN heterostructure
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Surface structural, electronic and electrical properties of the quaternary alloy AlInGaN/GaN heterostructures are investigated. Surface termination, atomic arrangement, electronic and electrical properties of the (0001) surface and (10-11) V-defect facets have been experimentally analyzed using various surface sensitive techniques including spectroscopy and microscopy. Moreover, the effect of sub-band gap (of the barrier layer) illumination on contact potential difference (VCPD) and the role of oxygen chemisorption have been studied.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 26-31
Journal: Materials Science in Semiconductor Processing - Volume 55, 15 November 2016, Pages 26-31
نویسندگان
A. Minj, D. Skuridina, D. Cavalcoli, A. Cros, P. Vogt, M. Kneissl, C. Giesen, M. Heuken,