کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010273 | 1462203 | 2017 | 17 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Lowering the effective work function via oxygen vacancy formation on the GeO2/Ge interface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Lowering the effective work function via oxygen vacancy formation on the GeO2/Ge interface Lowering the effective work function via oxygen vacancy formation on the GeO2/Ge interface](/preview/png/5010273.png)
چکیده انگلیسی
The use of a GeO2 interfacial layer (IL) between a high-k dielectric and a Ge substrate helps to reduce the interface state density in Ge MOS devices. We report that the presence of the GeO2 IL changes the effective work function (eWF) of the gate stack when annealed after high-k dielectric deposition. The eWF is reduced from 4.31Â eV to 3.98Â eV for TaN and from 5.00Â eV to 4.44Â eV for Ni. Consequently, the threshold voltage (Vth) decreases from 0.69Â V to 0.21Â V for Ni after post deposition annealing. Our investigation confirms that the generation of oxygen vacancies in the GeO2 IL near the Ge substrate is the main cause of the eWF modulation. In addition, the reliability of the GeO2 IL is investigated via the conductance method and a constant-current stress test.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 130, April 2017, Pages 57-62
Journal: Solid-State Electronics - Volume 130, April 2017, Pages 57-62
نویسندگان
Tae In Lee, Yujin Seo, Jungmin Moon, Hyun Jun Ahn, Hyun-Young Yu, Wan Sik Hwang, Byung Jin Cho,