کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010330 | 1462205 | 2017 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10Â nm triple-gate FinFETs: Part I: Theory and methodology
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low frequency noise is presented considering three major noise sources: 1/f noise associated to carrier trapping-detrapping in the gate oxide, channel carrier mobility fluctuations and generation-recombination noise related to traps located in the depletion zone of the device. Theory and methodology in order to identify the 1/f noise mechanism and to have information of the process induced traps in the silicon film using the noise spectroscopy technique are revisited.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 102-108
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 102-108
نویسندگان
D. Boudier, B. Cretu, E. Simoen, R. Carin, A. Veloso, N. Collaert, A. Thean,