کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010331 | 1462205 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low frequency noise assessment in n- and p-channel sub-10Â nm triple-gate FinFETs: Part II: Measurements and results
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low frequency noise measurements are used as a non-destructive diagnostic tool in order to evaluate the quality of the gate oxide and the silicon film of sub-10Â nm triple-gate Silicon-on-Insulator (SOI) FinFETs. It was found that the carrier number fluctuations explain the 1/f noise in moderate inversion for n- and p-FinFETs, which allows estimating the gate oxide trap densities. The noise spectroscopy with respect to temperature (study of the generation-recombination noise) led to the identification of the traps located in the transistors silicon film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 109-114
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 109-114
نویسندگان
D. Boudier, B. Cretu, E. Simoen, R. Carin, A. Veloso, N. Collaert, A. Thean,