کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010335 | 1462205 | 2017 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Anisotropic interpolation method of silicon carbide oxidation growth rates for three-dimensional simulation
ترجمه فارسی عنوان
روش انطباق بی نهایت از سرعت رشد اکسیداسیون سیلیکون کاربید برای شبیه سازی سه بعدی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
کاربید سیلیکون، اکسیداسیون، نرخ رشد، ناهمسانگردی، تعامل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
چکیده انگلیسی
We investigate anisotropical and geometrical aspects of hexagonal structures of Silicon Carbide and propose a direction dependent interpolation method for oxidation growth rates. We compute three-dimensional oxidation rates and perform one-, two-, and three-dimensional simulations for 4H- and 6H-Silicon Carbide thermal oxidation. The rates of oxidation are computed according to the four known growth rate values for the Si- (0001), a- (112¯0), m- (11¯00), and C-face (0001¯). The simulations are based on the proposed interpolation method together with available thermal oxidation models. We additionally analyze the temperature dependence of Silicon Carbide oxidation rates for different crystal faces using Arrhenius plots. The proposed interpolation method is an essential step towards highly accurate three-dimensional oxide growth simulations which help to better understand the anisotropic nature and oxidation mechanism of Silicon Carbide.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 135-140
Journal: Solid-State Electronics - Volume 128, February 2017, Pages 135-140
نویسندگان
Vito Å imonka, Georg Nawratil, Andreas Hössinger, Josef Weinbub, Siegfried Selberherr,