کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5010444 | 1462208 | 2016 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Post drain-stress behavior of AlGaN/GaN-on-Si MIS-HEMTs
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper we investigate the drain stress behavior and charge trapping phenomena of GaN-based high electron mobility transistors (HEMTs). We fabricated GaN-on-Si MIS-HEMTs with different dielectric stacks in the gate and gate-drain access region and performed interface characterization and stress measurements for slow traps analysis. 2-dimensional TCAD simulations were used to compare the electrical field distributions of the devices in OFF-state stress condition. Our results show a high dependency of the on-resistance increase on interfaces in the gate-drain access region. The dielectric interfaces near the channel play a significant role for long term high voltage stress and regeneration of the device.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid-State Electronics - Volume 125, November 2016, Pages 125-132
Journal: Solid-State Electronics - Volume 125, November 2016, Pages 125-132
نویسندگان
Simon A. Jauss, Stefan Kilian, Stephan Schwaiger, Stefan Noll, Walter Daves, Oliver Ambacher,