کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5395952 | 1505739 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning Auger microscopy for high lateral and depth elemental sensitivity
ترجمه فارسی عنوان
میکروسکوپ اسکن میکروسکوپی برای حساسیت عنصری جانبی و عمقی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
Scanning Auger microscopy is currently gaining interest for investigating nanostructures or thin multilayers stacks developed for nanotechnologies. New generation Auger nanoprobes combine high lateral (â¼10Â nm), energy (0.1%) and depth (â¼2Â nm) resolutions thus offering the possibility to analyze the elemental composition as well as the chemical state, at the nanometre scale. We report here on the performances and limitations on practical examples from nanotechnology research. The spatial elemental sensitivity is illustrated with the analysis of Al0.7Ga0.3As/GaAs heterostructures, Si nanowires and SiC nanodots. Regarding the elemental in-depth composition, two effective approaches are presented: low energy depth profiling to reveal ultra-thin layers (â¼1Â nm) and analysis of cross-sectional samples.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 191, December 2013, Pages 86-91
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volume 191, December 2013, Pages 86-91
نویسندگان
E. Martinez, P. Yadav, M. Bouttemy, O. Renault, Å. Borowik, F. Bertin, A. Etcheberry, A. Chabli,