کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5397115 | 1505775 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and electronic analysis of Hf on Si(1Â 1Â 1) surface studied by XPS, LEED and XPD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
In this work, we present a systematic electronic and structural study of the Hf-silicide formation upon annealing on Si(1 1 1) surface. The electronic structure and surface composition were determined by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy (ARXPS). To determine the atomic structure of the surface alloy we used low energy electron diffraction (LEED) and angle-resolved photoelectron diffraction (XPD). It was possible to verify that, after 600 °C annealing, there is alloy formation and after 700 °C the Hf diffusion process is predominant. Using LEED and XPD measurements we detected the ordered island formation simultaneously with alloy formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volumes 156â158, May 2007, Pages 393-397
Journal: Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena - Volumes 156â158, May 2007, Pages 393-397
نویسندگان
M.F. Carazzolle, M. Schürmann, C.R. Flüchter, D. Weier, U. Berges, A. de Siervo, R. Landers, G.G. Kleiman, C. Westphal,