کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5398220 | 1505886 | 2016 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Charge transfer luminescence in (GaIn)As/GaAs/Ga(NAs) double quantum wells
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Charge transfer excitons are studied in double quantum well structures consisting of a (GaIn)As and a Ga(NAs) layer separated by a GaAs film of variable thickness. With decreasing barrier thickness, the gradual change from a spatially direct exciton within the (GaIn)As well to a charge transfer exciton bound across the GaAs spacing layer is observed. The optical spectra are well reproduced by a fully microscopic theory and band structure calculations based on the k·p method using a weak type-I valence band offset of approximately (45±40)meV at the Ga(NAs)/GaAs interface.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 175, July 2016, Pages 255-259
Journal: Journal of Luminescence - Volume 175, July 2016, Pages 255-259
نویسندگان
P. Springer, S. Gies, P. Hens, C. Fuchs, H. Han, J. Hader, J.V. Moloney, W. Stolz, K. Volz, S.W. Koch, W. Heimbrodt,