کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539860 | 871275 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microwave characterization of porous SiOCH permittivity after integration dedicated to the 32 nm node
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
New porous ULK materials are now required for maintaining a constant RC factor as back-end dimensions shrink for each new technology node. Porous SiOCH ULK HF characterization, dedicated to the 32 nm node, has been performed, and its complex permittivity extracted up to 8 GHz. The impact of process integration on the porous SiOCH is highlighted, by an increase of its real permittivity and unwanted losses.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 329–332
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 87, Issue 3, March 2010, Pages 329–332
نویسندگان
B. Blampey, M. Gallitre, A. Farcy, T. Lacrevaz, S. De Rivaz, C. Bermond, B. Fléchet, V. Jousseaume, A. Zenasni, P. Ancey,