کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
539929 | 871280 | 2007 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Statistical constraints in nanocrystal memory scaling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper presents a detailed investigation of the statistical constraints that may limit nanocrystal memory scaling to the deca-nanometer scale-size. We adopted a Monte Carlo simulation approach to evaluate the probability distribution of the threshold voltage shift after program and of the retention time in presence of stress-induced leakage current. These distributions were used to extract a program and a retention fail probability. Both of them increase with cell dimensions scaling, strongly reducing the benefits offered by the nanocrystal technology in future microelectronics nodes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 12, December 2007, Pages 2869–2874
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issue 12, December 2007, Pages 2869–2874
نویسندگان
Riccardo Gusmeroli, Christian Monzio Compagnoni, Alessandro S. Spinelli,