کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540057 | 1450398 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Tilt-corrected stitching for electron beam lithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Tilt-corrected stitching for electron beam lithography Tilt-corrected stitching for electron beam lithography](/preview/png/540057.png)
چکیده انگلیسی
This paper demonstrates significant improvements in the stitching performance of an electron beam lithography tool by correcting for wafer tilt. This is achieved with no significant increase in writing time. Wafer tilt gives rise to keystone errors in the writing field and even for modest tilts the stitching error can increase significantly. By applying suitable corrections to the main field the maximum stitching error was reduced from 34 to 12 nm for a wafer tilt of 2 mrad.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 5–8, May–August 2007, Pages 793–796
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 84, Issues 5–8, May–August 2007, Pages 793–796
نویسندگان
S. Thoms, D.S. Macintyre,