کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400678 | 1505923 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evidence of strong acceptor peaks in ZnO thin films doped with phosphorus by plasma immersion ion implantation technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Evidence of strong acceptor peaks in ZnO thin films doped with phosphorus by plasma immersion ion implantation technique Evidence of strong acceptor peaks in ZnO thin films doped with phosphorus by plasma immersion ion implantation technique](/preview/png/5400678.png)
چکیده انگلیسی
⺠Phosphorus-implantation performed on ZnO films in order to achieve p-type doping ⺠Dominant acceptor-bound exciton peak for the samples, depict p-type conductivity ⺠Presence of free-electron-to-acceptor and donor-to acceptor peaks for the samples ⺠Acceptor activation energy of 125 meV is measured ⺠I-V characteristics exhibited diode-like behavior with a threshold voltage of 3.3 V.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 137, May 2013, Pages 55-58
Journal: Journal of Luminescence - Volume 137, May 2013, Pages 55-58
نویسندگان
S. Nagar, S. Chakrabarti,