کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5400983 | 1505924 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature-dependent photoluminescence properties of ZnO/Zn1âxMgxO multilayers grown by pulsed laser deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠ZnO/ZnMgO multilayers were grown at varying substrate temperatures by PLD technique. ⺠Band gap at 10 K increases with rise of substrate temperature. ⺠Above 25 K, band gap decreases with rise of substrate temperature from 500 °C to 700 °C. ⺠Increase of substrate temperature changes the recombination from donor-bound to localized excitons. ⺠Nonradiative recombination centers play an important role in the PL emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 136, April 2013, Pages 285-290
Journal: Journal of Luminescence - Volume 136, April 2013, Pages 285-290
نویسندگان
T. Rakshit, I. Manna, S.K. Ray,