کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5401716 | 1392718 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Growth conditions effects on optical properties of InAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy on GaAs (1Â 1Â 3)A substrate
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Reported effect of growth conditions on optical properties of InAs QD. ⺠Detailed PL energy behavior under different growth rates and As ratio fluxes. ⺠Explained the origin of carrier localization.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 289-292
Journal: Journal of Luminescence - Volume 132, Issue 2, February 2012, Pages 289-292
نویسندگان
F. Saidi, L. Bouzaïene, L. Sfaxi, H. Maaref,