کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402113 | 1392726 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Room-temperature below bulk-Si band gap photoluminescence from P and B co-doped and compensated Si nanocrystals with narrow size distributions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠P and B co-doped Si nanocrystals (Si-ncs) with narrow size distribution are produced. ⺠The co-doped and compensated Si-ncs exhibit PL below bulk Si band gap at room temperature. ⺠The low-energy PL may arise from donor to acceptor transitions in compensated Si-ncs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 5, May 2011, Pages 1066-1069
Journal: Journal of Luminescence - Volume 131, Issue 5, May 2011, Pages 1066-1069
نویسندگان
Masatoshi Fukuda, Minoru Fujii, Shinji Hayashi,