کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540213 | 871294 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of minority carrier diffusion length in SiC toward high quality epitaxial growth
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Analysis of minority carrier diffusion length in SiC toward high quality epitaxial growth Analysis of minority carrier diffusion length in SiC toward high quality epitaxial growth](/preview/png/540213.png)
چکیده انگلیسی
Homoepitaxy of 4H-SiC grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition and the minority carrier diffusion length were studied. With the addition of HCl during the etching and the epitaxy, an optimum growth window on the (0001¯) C face became wide. Minority carrier diffusion length in SiC epilayers was evaluated by a line-scanning electron-beam-induced current method.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 1, January 2006, Pages 30–33
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 83, Issue 1, January 2006, Pages 30–33
نویسندگان
T. Hatayama, H. Yano, Y. Uraoka, T. Fuyuki,