کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402400 | 1392733 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence in SiCGe thin films grown on 6H-SiC
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoluminescence in SiCGe thin films grown on 6H-SiC Photoluminescence in SiCGe thin films grown on 6H-SiC](/preview/png/5402400.png)
چکیده انگلیسی
Intense visible luminescence is observed at room temperature from SiCGe films on 6H-SiC (0Â 0Â 0Â 1) substrate. The PL intensity increases rapidly under the UV laser excitation during the first 2Â h. This phenomenon may be explained by an effect similar to the Steabler-Wronski effect in hydrogenated amorphous Silicon. High density of defects such as double phase boundaries and stacking faults are observed by TEM characterization, which produce the quasidefects and accelerate the effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 130, Issue 4, April 2010, Pages 587-590
Journal: Journal of Luminescence - Volume 130, Issue 4, April 2010, Pages 587-590
نویسندگان
Li Lianbi, Chen Zhiming, Li Jia, Zhou Yangyang, Wang Jiannong,