کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5402874 | 1392744 | 2010 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Theoretical analysis of higher-order phonon sidebands in semiconductor luminescence spectra
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A semiconductor luminescence formula is derived that includes phonon replica of arbitrary order based on a non-perturbative treatment of the electron-phonon interaction. The formula is used to analyze the extraordinarily strong sidebands observed with ZnO nanorods in recent experiments. Sidebands due to free and impurity-bound excitons are compared, and the generic differences between bulk and quantum-well emission are discussed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 130, Issue 1, January 2010, Pages 107-113
Journal: Journal of Luminescence - Volume 130, Issue 1, January 2010, Pages 107-113
نویسندگان
T. Feldtmann, M. Kira, S.W. Koch,