کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403035 | 1392750 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Photoluminescence spectra of nitrogen implanted GaSe crystals
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Photoluminescence spectra of nitrogen implanted GaSe crystals Photoluminescence spectra of nitrogen implanted GaSe crystals](/preview/png/5403035.png)
چکیده انگلیسی
GaSe single crystals were N-implanted along c-axis with ion beams of 1014 and 1016Â ions/cm2 doses having energy values of 60 and 100Â keV. The photoluminescence (PL) spectra of undoped and N-implanted GaSe crystals were measured at different temperatures. The PL intensity was observed to decrease with increasing implantation dose while the FWHM of the exciton peaks increased. In heavily doped crystals, due to the interaction with the radiation induced disorders, the wave vector selection rules are satisfied and an indirect exciton PL band is observed 36Â meV below the direct exciton states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 128, Issue 10, October 2008, Pages 1551-1555
Journal: Journal of Luminescence - Volume 128, Issue 10, October 2008, Pages 1551-1555
نویسندگان
M. Karabulut, G. Bilir, G.M. Mamedov, A. Seyhan, R. Turan,