کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403164 | 1392753 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of selenium treatment on composition and photoluminescence properties of porous silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, an ultrasonically enhanced anodic electrochemical etching is developed to fabricate light-emitting porous silicon material. Porous silicon layer is fabricated in n-type (1Â 0Â 0) oriented silicon using HF solution and treated in selenious acid to increase the photoluminescence intensity. It is found that the increase of photoluminescence intensity after selenious acid treatment is higher in the intact zones and lower in the detached zones of ultrasonic excitation. The photoluminescence appears as a non-monotonous function of time exposure of selenious acid treatment. Surface chemical composition analysis by X-ray photoelectron spectroscopy shows formation of Si-Sex and Si-Sex-Oy on the surface of porous silicon treated with the selenious acid.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 127, Issue 2, December 2007, Pages 431-434
Journal: Journal of Luminescence - Volume 127, Issue 2, December 2007, Pages 431-434
نویسندگان
R. JarimaviÄiÅ«tÄ-ŽvalionienÄ, S. TamuleviÄius, M. AndruleviÄius, G. StatkutÄ, R. TomaÅ¡iÅ«nas, V. GrigaliÅ«nas,