کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403648 | 1392763 | 2007 | 14 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microscopic modeling of photoluminescence of strongly disordered semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A microscopic theory for the luminescence of ordered semiconductors is modified to describe photoluminescence of strongly disordered semiconductors. The approach includes both diagonal disorder and the many-body Coulomb interaction. As a case study, the light emission of a correlated plasma is investigated numerically for a one-dimensional two-band tight-binding model. The band structure of the underlying ordered system is assumed to correspond to either a direct or an indirect semiconductor. In particular, luminescence and absorption spectra are computed for various levels of disorder and sample temperature to determine thermodynamic relations, the Stokes shift, and the radiative lifetime distribution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 99-112
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 99-112
نویسندگان
P. Bozsoki, M. Kira, W. Hoyer, T. Meier, I. Varga, P. Thomas, S.W. Koch,