کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5403659 | 1392763 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The central role of oxygen on H+-irradiated Lu2SiO5 luminescence
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The behavior of self-trapped defects (STDs) in ion-beam irradiated Lu2SiO5 (LSO) crystal has been investigated via temperature-dependent radioluminescence (RL) measurements. Production of oxygen vacancies is the major effect of H+ irradiation on luminescencent properties of this phosphor. Luminescence centers for self-trapped exciton (STE) and self-trapped hole emission are assigned to oxygen vacancies and oxygen ions, respectively. Ion-induced structural damage modifies the thermal stability of the STDs and creates perturbed STEs. A striking effect of ion irradiation is the approximate factor-of-two enhancement of STE RL intensity that results from implantation of only a thin (â¼250Â nm) surface layer of LSO. This enhancement is attributed to ion-beam modification of a surface dead layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 173-177
Journal: Journal of Luminescence - Volume 124, Issue 1, May 2007, Pages 173-177
نویسندگان
L.G. Jacobsohn, B.L. Bennett, J.-K. Lee, R.E. Muenchausen, J.F. Smith, B.P. Uberuaga, D.W. Cooke,