کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5404046 1392771 2006 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of a silicon RCE Schottky photodetector working at 1.55 μm
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Design of a silicon RCE Schottky photodetector working at 1.55 μm
چکیده انگلیسی
Our numerical results prove that a quantum efficiency of 0.1% is obtained at resonant wavelength (1.55 μm) with a very thin absorbing metal layer (30 nm). Theoretical values of 100 GHz and 100 MHz were obtained, respectively, for the carrier-transit time limited 3-dB bandwidth and bandwidth-efficiency. The proposed photodetector can work at room temperature and its fabrication is completely compatible with standard silicon technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 121, Issue 2, December 2006, Pages 399-402
نویسندگان
, , , , ,