کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5404046 | 1392771 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Design of a silicon RCE Schottky photodetector working at 1.55 μm
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Our numerical results prove that a quantum efficiency of 0.1% is obtained at resonant wavelength (1.55 μm) with a very thin absorbing metal layer (30 nm). Theoretical values of 100 GHz and 100 MHz were obtained, respectively, for the carrier-transit time limited 3-dB bandwidth and bandwidth-efficiency. The proposed photodetector can work at room temperature and its fabrication is completely compatible with standard silicon technology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Luminescence - Volume 121, Issue 2, December 2006, Pages 399-402
Journal: Journal of Luminescence - Volume 121, Issue 2, December 2006, Pages 399-402
نویسندگان
M. Casalino, L. Sirleto, L. Moretti, F. Della Corte, I. Rendina,