کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
540413 | 871311 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dual step EBL Gate fabrication technology for GaN-HEMT wideband applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The operation at frequencies above 100 GHz of electronic devices like transistors has been achieved both by using high electron mobility III–V semiconductor materials or heterostructures and by implementing fabrication techniques which strongly reduce parasitic capacitances between the device terminals, without increasing series resistances. The technology has been applied on different GaN high electron mobility transistor epiwafers, and the devices performances analyzed under their DC and RF characteristics, outlining that further semiconductor material optimization is mandatory to fully benefit the sub ¼ micron Gate length for very high frequency operation advantage.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 8, August 2011, Pages 1927–1930
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 88, Issue 8, August 2011, Pages 1927–1930
نویسندگان
D. Dominijanni, E. Giovine, A. Notargiacomo, A. Pantellini, P. Romanini, M. Peroni, A. Nanni,