دانلود مقالات ISI درباره High Electron Mobility Transistor (Hemt) + ترجمه فارسی

Electrical and thermal failure modes of 600 V p-gate GaN HEMTs

Keywords: Gallium nitride (GaN); High electron mobility transistor (HEMT); P-doped gate (p-gate); Short-circuit; Safe operating area; Electrical failure; Thermal failure;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Enhancement mode GaN MOSFET for high power applications using AlGaN/GaN heterostructure

Keywords: 2 Dimensional electron gas density (2DEG); GaN MOSFET; Heterojunction bipolar transistor (HBT); High electron mobility transistor (HEMT);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

20 nm high performance enhancement mode InP HEMT with heavily doped S/D regions for future THz applications

Keywords: High electron mobility transistor (HEMT); Indium phosphide (InP); Short channel effects (SCE); Side recess spacing (LSIDE); Terahertz monolithic integrated circuit (TMIC);

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Superlattice structure modelling and simulation of high electron mobility transistor with novel device structure

Keywords: Dilute magnetic semiconductor (DMS); Superlattice; High electron mobility transistor (HEMT); Magnetic tunnel junctions

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Comparison of SiO2-based double passivation scheme by e-beam evaporation and PECVD for surface passivation and gate oxide in AlGaN/GaN HEMTs

Keywords: High electron mobility transistor (HEMT); Electron beam (e-beam) evaporation; Plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD); Surface passivation; Gate oxide;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Current collapse reduction in InAlGaN/GaN high electron mobility transistors by surface treatment of thermally stable ultrathin in situ SiN passivation

Keywords: Surface passivation; In situ SiN; High electron mobility transistor (HEMT); InAlGaN/GaN heterostructure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Analysis of the thermal behavior of AlGaN/GaN HEMTs

Keywords: Finite-element method (FEM); Gallium nitride (GaN); High electron mobility transistor (HEMT); Silicon carbide (SiC); Thermal impedance; Thermal resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Dual step EBL Gate fabrication technology for GaN-HEMT wideband applications

Keywords: Electron beam lithography (EBL); High electron mobility transistor (HEMT); T-Gate; Microwave monolithic integrated circuits (MMICs)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(1 1 1) substrates by MOCVD

Keywords: AlGaN/GaN; High electron mobility transistor (HEMT); Si (1 1 1)

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Drain-to-gate field engineering for improved frequency response of GaN-based HEMTs

Keywords: Gallium nitride; High electron mobility transistor (HEMT); Electric fields

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه